Высокочистый тетрахлорид гафния используется для создания изолирующих диэлектрических слоев при производстве микрочипов нового поколения (стандарт 45 и 32 нм). Производимый тетрахлорид гафния имеет чистоту 99,999% по металлическим примесям, исключая цирконий, содержание циркония не более 200 ppm. Материал поставляется в виде порошка в стеклянных запаянных ампулах от 1 до 100г.

Безводные иодиды редкоземельных металлов высокой чистоты применяются в металлогалогенидных лампах – ртутных лампах высокого давления с добавками иодидов металлов и иодидов диспрозия, гольмия и тулия. Такие лампы имеют ряд существенных преимуществ перед обычными лампами накаливания – высокая световая отдача, близкий к дневному свету спектр оптического излучения, в 20 раз увеличенная яркость и т.д.

Кроме того, применение РЗ иодидов открывает новые возможности создания специальных металлогалогенных ламп без использования токсичной ртути.
Характеристика материалов:
ультра сухие редкоземельные иодиды, содержащие не более 0,01% примесей РЗМ и 0,005% примесей остальных металлов. Содержание влаги и кислорода не более 30 ppm. Соединения в виде порошков или чешуек (flakes) поставляются в стеклянных запаянных ампулах.

Выполняется работы по получению высокочистых галогенидов различных металлов методом высокотемпературной ректификации.

Безводные галогениды металлов используются для выращивания монокристаллов для лазерной техники и электроники, неорганических и органических синтезов.

Технологическая схема включает подготовку исходного материала и оборудования, процесс ректификации и упаковку готового продукта по требованию заказчика.