:
Анализ и сертификацияПредоставляемые услуги

Предоставляемые услуги

ПРЕДОСТАВЛЯЕМЫЕ УСЛУГИ 
в виде измерений, испытаний, анализов неорганических веществ и материалов

   

1. Пробоподготовка
1.1 Механическая пробоподготовка (измельчение, рассеивание, прессование, взвешивание, расфасовка; в зависимости от вида и массы пробы) 
1.2 Высокотемпературная пробоподготовка (прокалка, спекание, сплавление)
1.3 Химическая пробоподготовка
1.3.1 В открытой системе
1.3.2 В аналитическом автоклаве с резистивным нагревом
1.3.3 В аналитическом автоклаве с микроволновым нагревом

2. Определение матричных, сопутствующих и легирующих компонентов
2.1 Идентификация (качественный и полуколичественный анализ)
2.1.1 Рентгенофлуоресцентный метод
2.1.2 Атомно-эмиссионный метод
2.2 Атомно-эмиссионный спектральный анализ с дуговым источником возбуждения
2.2.1 Прямой (инструментальный) спектральный анализ
2.2.2 Химико-спектральный анализ (с химической пробоподготовкой)
2.3 Спектральный анализ растворенной пробы (после химической пробоподготовки)
2.3.1 Атомно-эмиссионный анализ с индуктивно-связанной плазмой
2.3.2 Атомно-абсорбционный анализ

3. Определение основного компонента гравиметрическим методом

4. Определение примесного элементного состава веществ и материалов
4.1 Определение примесного состава цветных, редких и драгоценных металлов, графита, чистых оксидов, фторидов, полупроводниковых материалов, многокомпонентных материалов - руд, концентратов, шлаков, шламов, чистых веществ, вторичного и техногенного сырья методом твердотельной масс-спектрометрии
4.2 Анализ изотопной продукции:
-определение изотопного состава;
-определение химического состава изотопа.
4.3 Определение изотопного состава неизотопной продукции
4.4 Метод атомно-эмиссионного твердотельного анализа с дуговым источником возбуждения (чистые металлы, их оксиды, полупроводники)

5. Определение влажности (потерь при прокаливании)

6. Составление сопровождающих документов
6.1 Протокол испытаний
6.2 Сертификат химического состава на пробу
6.3 Сертификат химического состава на партию (совместно с органом по сертификации)

7. Измерение удельного электросопротивления полупроводниковых материалов
- до 10 000 Ом·см

8.Измерение времени жизни носителей заряда в кремнии методом спада фотопроводимости - до 1000 мкс при удельном электросопротивлении не менее 0.5 Ом·см

9. Определение типа проводимости полупроводников

10. Измерение концентрации и подвижности носителей заряда методом Холла

11.Определение типа и концентрации мелких примесных центров в кремнии методом низкотемпературной фотолюминесценции - примеси B, P, As, Al, Ga, концентрация >1011 см-3 при степени компенсации > 10-2

12.Определение параметров и локального распределения глубоких центров в полупроводниках методами релаксационной спектроскопии и катодолюминесценции

13.Определение кислорода и углерода в кремнии оптическим методом с пределами определения по кислороду > 1·1017 см–3 при допустимом электросопротивлении не менее 10-1 Ом·см для n-типа и 1 Ом·см для p-типа, по углероду > 2·1016 см–3 на спектрофотометре Перкин-Эльмер 983 и > 3·1015 см–3 на Фурье-спектрометре фирмы Брукер при допустимом электросопротивлении не менее 1 Ом·см для n- и p-типа

14.Определение локальной концентрации примесей и их пространственного распределения в неорганических материалах методом локального рентгеноспектрального анализа (локальность и латеральное разрешение до 1 мкм, предел обнаружения до 0.01%)

15.Определение химического состояния элементов в неорганических материалах методами фотоэлектронной и Оже-спектроскопии

16.Оптические измерения фононных спектров в неорганических материалах

17.Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости в полупроводниковых структурах в диапазоне волновых чисел 10-5000 см-1

18.Определение напряжений в полупроводниковых материалах прозрачных в ближней ИК области с помощью метода фотоупругости.

19.Измерение микрохрупкости и микротвердости в диапазоне температур 100-600oС с помощью индентора Кнуппа и Виккерса.

20.Измерение микронеоднородности распределения удельного сопротивления и концентрации свободных носителей заряда в монокристаллах Ge и Si методом сопротивления растекания согласно стандарту ASTM F672.

21.Проведение комплексных исследований физическо-химических и структурных свойств образцов кристаллов кремния:

 

  • Измерение удельного электросопротивления полупроводниковых материалов - до 10 000 Ом·см
  • Измерение времени жизни носителей заряда в кремнии методом спада фотопроводимости - до 1000 мкс при удельном электросопротивлении не менее 0.5 Ом·см 
  • Определение типа проводимости полупроводников 
  • Измерение концентрации и подвижности носителей заряда методом Холла 
  • Определение типа и концентрации мелких примесных центров в кремнии методом низкотемпературной фотолюминесценции - примеси B, P, As, Al, Ga, концентрация >1011 см-3 при степени компенсации > 10-2 
  • Определение параметров и локального распределения глубоких центров в полупроводниках методами релаксационной спектроскопии и катодолюминесценции 
  • Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости в полупроводниковых структурах в диапазоне волновых чисел 10-5000 см-1 
  • Измерение микронеоднородности распределения удельного сопротивления и концентрации свободных носителей заряда в монокристаллах Ge и Si методом сопротивления растекания согласно стандарту ASTM F672. 
  • Исследование профилей легирования кремниевых многослойных приборных структур методом сопротивления растекания по косому шлифу.
  • Измерение концентрации основных носителей тока и удельного сопротивления кремния методом эффекта Холла в интервале температур 300-4 К.
  • Измерения параметра кристаллической решетки с точностью ± 5·10-4 Å.
  • Измерение углов разориентации поверхности монокристаллических пластин (стандартных образцов) относительно кристаллографических плоскостей (hkl).
  • Топографический контроль дефектов в объеме и на поверхности монокристаллов (секционная топография, топография на прохождение и отражение рентгеновских лучей).
  • Определение параметров нарушенных слоёв в пластинах Si и других полупроводниковых материалов с помощью рентгенодифрактометрических методов исследования при механической обработке.


22. Проведение комплексных исследований физическо-химических и структурных свойств образцов выращенных из расплава монокристаллов полупроводниковых материалов: элементарных полупроводников Si и Ge, полупроводниковых соединений АIIIBV (арсенида галлия и индия), кристаллов различных оксидных соединений и др., а также эпитаксиальных слоев Si и Ge твердых растворов на их основе, соединений АIIIBV, тройных и четверных твердых растворов на их основе:

  • Измерение удельного электросопротивления полупроводниковых материалов - до 10 000 Ом·см.
  • Определение типа проводимости полупроводников.
  • Измерение концентрации и подвижности носителей заряда методом Холла.
  • Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости в полупроводниковых структурах в диапазоне волновых чисел 10-5000 см-1.
  • Измерение концентрации основных носителей тока и удельного сопротивления методом эффекта Холла в интервале температур 300-4 К.
  • Измерения параметра кристаллической решетки с точностью ± 5·10-4 Å.
  • Измерение углов разориентации поверхности монокристаллических пластин (стандартных образцов) относительно кристаллографических плоскостей (hkl).
  • Топографический контроль дефектов в объеме и на поверхности монокристаллов (секционная топография, топография на прохождение и отражение рентгеновских лучей).
  • Определение рассогласования параметров решетки эпитаксиального слоя и подложки с точностью ±1.105 Å путем снятия кривых дифракционного отражения.
  • Определение плотности дислокаций в монокристаллах и эпитаксиальных слоев оптической микроскопией в сочетании с избирательным химическим травлением.
  • Определение распределения дислокаций по толщине эпитаксиального слоя на косом шлифе, изготовленным химическим травлением.
     
23. Анализ объектов окружающей среды (почвы, воды, воздуха) на содержание тяжелых металлов

24. Разработка стандартов, технических условий и других нормативных документов на методы аналитического контроля редких, цветных, драгоценных металлов, соединений и сплавов на их основе.

25.Сертификация металлсодержащих лома и отходов.